OCPC HP SSD M.2 NVMe PCIe 1TB [SSDM2PCIEHP1TB]

Uno sguardo da vicino

La nuova unità OCPC HP SSD M.2 NVMe PCIe da 1TB di capacità appare davvero molto compatta e si basa su un fattore di forma di tipo M.2 Type-2280, che prevede, di conseguenza, una larghezza pari a 22mm ed una lunghezza massima di appena 80mm. Il PCB, di colore nero e con finitura opaca, è di tipo multistrato a doppia faccia, con uno spessore tale da restituire un’ottima rigidità.

Possiamo osservare che, in questo specifico modello, tutti i vari componenti sono montati esclusivamente su una faccia del circuito stampato, opportunamente disposti in modo da ottenere un layout generale molto pulito ed ordinato. Le saldature non presentano sbavature e sono di ottima fattura, a conferma degli elevati standard qualitativi adottati in fase di produzione.

Nella parte anteriore dell’unità possiamo notare un sottile heat-spreader in alluminio di colore nero con inserti bianco/blu/rosso che oltre a conferire una certa eleganza al prodotto, consentono di distinguere a colpo d’occhio la famiglia di appartenenza ed il modello.

Purtroppo, a differenza dei normali prodotti destinati alla commercializzazione, il nostro sample non prevede alcuna etichetta informativa nella parte posteriore che, di conseguenza, è completamente vuota. La nuova linea High Performance NVMe si basa sul controller “DRAM-Less” di ultima generazione SM2263XT di Silicon Motion.

Questo controller TFBGA a 288 contatti, di tipo multicanale a 4 vie, offre pieno supporto sia alle NAND Flash TLC/QLC basate su standard ONFI (Open NAND Flash Interface) 3.0/4.0 e Toggle 2.0/3.0. Per ciò che riguarda l’interfaccia viene assicurata la piena conformità verso lo standard PCIe Gen3 con banda massima teorica pari a ben 32Gb/s (sfruttando quattro linee di terza generazione), nonché verso la specifica 1.3 del protocollo NVMe (Non-Volatile Memory Express).

Al pari di altri modelli del marchio anche questa nuova variante abbandona il supporto al tradizionale BCH Error Correction Code (ECC) per la correzione dei dati, in favore del più recente e potente Low-Density Parity-Check (LDPC). La nuova logica di correzione degli errori messa a punto da Silicon Motion, denominata NAND Xtend ECC Technology, combina una decodifica a livello hardware con una a livello software, implementando un ulteriore livello di protezione dei dati denominato RAID Data Recovery.

A garanzia della massima sicurezza dei dati, è pienamente supportata la codifica con chiave di criptazione AES a 256-bit tramite protocollo Opal Trusted Computing Group (TCG). Questa nuova serie implementa, inoltre, supporto al Real Time Full-Disk Encryption (FDE).

Il recupero delle prestazioni è garantito dalla tecnologia TRIM (nei sistemi operativi compatibili che ne fanno uso) e da un Garbage Collection avanzato, attivato automaticamente durante gli stati idle dell’unità. Non mancano, infine, funzionalità avanzate per il massimo risparmio energetico in tutte quelle situazioni di scarso o non utilizzo del drive, come le tecnologie Device Sleep (DEVSLP) e PHY Sleep, perfette per consentire una maggiore durata della batteria dei notebook pur mantenendo un’elevata reattività, grazie ai brevissimi tempi di ripresa. Riportiamo uno schema a blocchi in cui sono riassunte le principali caratteristiche tecniche del nuovo SM2263XT:

Il pettine di collegamento M.2/NGFF, trattandosi di un’unità conforme al protocollo NVMe (Non-Volatile Memory Express), è di tipo M-Key (possiamo infatti notare la singola tacca). Consigliamo quindi di fare sempre riferimento al manuale utente o alle specifiche tecniche riportate sulla pagina web della propria scheda madre in maniera da evitare l’insorgere di eventuali problemi di compatibilità.

Per quanto riguarda, invece, le NAND Flash, come già anticipato, troviamo delle 3D TLC (Triple Level Cell) prodotte dall’asiatica YMTC. Queste particolari memorie, prodotte con processo litografico a 20nm, sono realizzate utilizzando un’architettura a 64 strati di celle impilati verticalmente, anziché cercare di ridurre la lunghezza e la larghezza delle celle per rientrare nei moderni fattori di forma compatti.

Il risultato è una densità maggiore, una resa migliorata in termini di prestazioni ed un consumo energetico ben più contenuto rispetto alle NAND tradizionali di tipo planare. Precisamente, nel modello in esame, troviamo quattro moduli identici collocati su un solo lato del PCB, serigrafati SD256GB4C9ABT23 e contraddistinti da una densità di 2.048Gbit (256GB) ciascuno.