Il colosso Samsung ha di recente presentato, la nuova generazione di S-RAM per il mondo mobile, basata sulla tecnologia a 10 nm FinFET, con 128 MB di transfer rate.
Da Samsung le nuove generazioni di S-RAM basate sulla tecnologia 10 nm FinFET con 128 MB di transfer rate!
Samsung ha annunciato nei giorni scorsi, la nuova generazione di S-RAM destinate al mondo mobile, basate sulla tecnologia a 10 nm FinFET con 128 MB di transfer rate. Le S-RAM risultano decisamente molto più veloci delle attuali D-RAM.
La superficie di queste nuove S-RAM diminuisce del 37,5% rispetto alle stesse realizzate con il processo a 14 nm, il che garantirà ai processori che le useranno un ingombro ridotto. Samsung sarà pronta alla produzione di massa solo all‘inizio del 2017 e solo dopo questa data, potremo vedere le prime CPU in grado di sfruttare tali memorie per la cache incrementando velocità e diminuendo i consumi.
Rimane da vedere quale sarà la risposta di altri due colossi nel campo dei processori, vale a dire Intel e TSMC, i cui moduli S-RAM sono ancora basati su processi a 16 e 14 nm rispettivamente.
HW Legend Staff
