I ricercatori dell’Università di Fudan hanno sviluppato una nuova tecnologia di memoria flash non volatile che potrebbe rivoluzionare il settore dello storage. Chiamata “PoX”, questa memoria flash potrebbe colmare il divario di prestazioni tra memoria volatile e non volatile, aprendo la strada a progressi nei sistemi di intelligenza artificiale ad alta intensità di dati.
Le soluzioni tradizionali di memoria volatile, come SRAM e DRAM, offrono velocità di scrittura elevate (1-10 nanosecondi) ma perdono i dati quando manca l’alimentazione. Al contrario, la memoria flash conserva i dati senza alimentazione, ma presenta velocità di scrittura molto inferiori (da pochi microsecondi a millisecondi, a seconda della tecnologia), rendendola inadatta alle esigenze di elaborazione in tempo reale richieste dagli acceleratori di IA moderni.
Secondo Tom’s Hardware, i ricercatori dell’Università di Fudan, guidati dal Prof. Zhou Peng del State Key Laboratory of Integrated Chips and Systems, hanno rivoluzionato la fisica della memoria flash sostituendo i canali in silicio con grafene bidimensionale di tipo Dirac, sfruttando le sue proprietà di trasporto balistico della carica. L’innovazione chiave consiste nell’aver ottenuto una “super-iniezione bidimensionale” manipolando la “lunghezza di Gauss” del canale, permettendo un afflusso di carica nella cella di memoria molto più rapido ed elevato, superando i limiti delle tecniche di iniezione tradizionali.
Grazie a queste tecniche, la nuova memoria è stata in grado di operare un singolo bit in 400 picosecondi (0,0000000004 secondi), il che si traduce in circa 25 miliardi di operazioni al secondo. Si tratta di un miglioramento enorme rispetto al precedente record di velocità di programmazione per memorie non volatili, che si attestava attorno a 2 milioni di operazioni al secondo.
Il basso costo e la scalabilità della memoria flash l’hanno resa un pilastro dell’industria globale dei semiconduttori. Tuttavia, gli esperti ritengono che l’approccio innovativo di Fudan, basato su un “meccanismo completamente originale”, possa sconvolgere l’attuale panorama delle memorie. In termini pratici, una memoria in stile PoX prodotta su larga scala potrebbe potenzialmente sostituire le cache SRAM ad alta velocità nei circuiti per IA, portando a un risparmio di spazio ed energia. Potrebbe inoltre abilitare accensioni istantanee e operazioni a basso consumo per laptop e smartphone, oltre a motori di database con capacità di archiviazione RAM persistente.
Gli ingegneri di Fudan stanno attualmente lavorando per scalare il design delle celle al livello di array. Anche se non sono ancora stati annunciati partner commerciali, se la tecnologia manterrà le promesse e sarà producibile su larga scala, è probabile che presto le aziende inizieranno a sviluppare prodotti basati su PoX.
HW Legend Staff
