Samsung punta a NAND a 1.000 strati entro il 2030, inizia la saldatura dei wafer a 400 strati


Samsung punta a creare NAND a 1.000 strati entro il 2030, grazie al suo nuovo design “multi-BV” NAND. Secondo quanto riportato da The Bell, questo piano prevede l’impilamento di quattro wafer per superare i limiti strutturali. La tecnologia di bonding dei wafer gioca un ruolo cruciale in questo progresso e Samsung intende usarla per rompere la barriera dei 1.000 strati.

Il CTO della divisione DS di Samsung Electronics, Song Jae-hyuk, ha sottolineato che il bonding dei wafer consente la produzione separata dei wafer periferici e dei wafer delle celle, per poi unirli in un unico semiconduttore. The Bell afferma che questa tecnologia dovrebbe apparire per la prima volta nel NAND di decima generazione di Samsung (V10), mentre gli esperti del settore ritengono che un singolo wafer possa contenere circa 500 strati NAND se implementa solo strutture delle celle.

In passato, Samsung ha utilizzato la tecnica COP (Cell on Peripheral), un metodo che posiziona il circuito periferico su un wafer, con le celle NAND impilate sopra. Tuttavia, man mano che gli strati NAND crescono, le parti periferiche inferiori sono sottoposte a maggiore pressione, il che potrebbe influire sulla loro affidabilità.

Il piano di Samsung prevede di collaborare con YMTC in Cina, che dovrebbe offrire un brevetto per il bonding ibrido per il NAND V10. ZDNet riporta che la compagnia sudcoreana inizierà a produrre il suo NAND V10 in grandi quantità nella seconda metà del 2025, con circa 420-430 strati. Oltre al bonding dei wafer, Samsung aggiunge altre tecnologie al suo piano NAND.

The Bell sottolinea che l’incisione a freddo utilizzando il molibdeno, e altre nuove idee, inizieranno con il NAND a 400 strati e giocheranno un ruolo chiave nella crescita verso i 1.000 strati. Samsung non è l’unica a cercare di creare prodotti NAND a strati ultra-alti. Anche la giapponese Kioxia vuole raggiungere questo obiettivo con la sua tecnologia “multi-stack CBA” (CMOS Bonded to Array). Il piano dell’azienda è ancora più audace, sperando di vendere NAND 3D a 1.000 strati entro il 2027.


HW Legend Staff


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