Samsung durante il noto evento Hot Chips 28 ha svelato alcuni interessanti dettagli in merito alla 3° generazione di chip di memoria High Bandwidth Memory (HBM3) e GDDR6. Entrambe queste nuove tipologie di memorie, disporranno di consumi energetici minori, di una capacità massima e di una migliore banda di trasferimento.
Samsung parla delle nuove momorie HBM3 e GDDR6!
Samsung durante l’evento Hot Chips 28 ha svelato alcuni dettagli in merito alla 3° generazione di chip di memoria High Bandwidth Memory (HBM3) e GDDR6. Entrambe queste nuove tipologie di memorie, disporranno di consumi energetici minori, di una capacità massima e di una migliore banda di trasferimento.
Samsung afferma che le memorie GDDR6 arriveranno sul mercato nel 2018 ed offriranno una velocità di trasferimento massima di 15 Gbps, contro gli attuali 10Gbps delle memorie GDDR5X. Il picco di velocità delle GDDR5X è di 12Gbps.
Nei prossimi mesi inoltre saranno introdotte sul mercato le prime memorie HBM2, ma ciò nonostante questo, Samsung ha parlato della nuova generazione delle HBM3.
Le HBM3 sono previste tra il 2019 e il 2020 e dovrebbero raddoppiare banda di trasferimento e la capacità per singolo chip, mantenendo però invariati i consumi rispetto a HBM2. Non possiamo che attendere maggiori sviluppi.
HW Legend Staff
