Samsung ha reso noto, durante la giornata di oggi, di aver dato il via alla produzione in volumi della una nuova generazione di memorie V-NAND che verranno utilizzate per equipaggiare la prossima generazione di SSD. L’azienda coreana dichiara di disporre di chip di memoria V-NAND con le più alte velocità di trasferimento dati ad oggi disponibili.
La produzione in volumi della una nuova generazione di memorie Samsung V-NAND che verranno utilizzate per equipaggiare gli SSD del futuro è stata avviata!
Samsung ha dato il via alla produzione in volumi della una nuova generazione di memorie V-NAND che verranno utilizzate per equipaggiare la prossima generazione di SSD. L’azienda coreana dichiara di disporre di chip di memoria V-NAND con le più alte velocità di trasferimento dati ad oggi disponibili.
Samsung ha dato il via all’implementazione della nuova interfaccia “Toggle DDR 4.0”, in grado di offrire una velocità di trasferimento dati sulle nuove memorie V-NAND da 256Gb di 1.4Gbps, con un incremento rispetto alla precedente generazione quantificato in un eccellente 40%.
L’efficienza energetica delle nuove memorie V-NAND è rimasta praticamente invariata rispetto ai chip a 64 livelli, questo grazie ad una diminuzione del voltaggio richiesto da 1.8V a 1.2V. Le nuove memorie V-NAND sono inoltre caratterizzate da velocità di scrittura superiori, infatti si parla di un miglioramento del 30% circa rispetto alla precedente generazione e una risposta ai segnali di lettura ridotta di circa 50 microsecondi. Queste nuove memorie V-NAND presentano al loro interno, più di 90 livelli di celle 3D CTF (Charge Trap Flash), con dei canali microscopici che le collegano tra loro verticalmente.
Il vice presidente esecutivo della divisione Flash Products and Technology di Samsung ha dichiarato: “La quinta generazione di prodotti e soluzioni V-NAND sarà in grado di offrire la più avanzata tecnologia NAND attualmente disponibile in un mercato, quello delle memorie premium, in continua e rapida crescita”. Kye Hyun Kyung ha inoltre aggiunto che oltre alla nuova generazione di memorie V-NAND, Samsung sarebbe pronta ad annunciare chip di memoria V-NAND da 1Tb di tipo QLC.
HW Legend Staff
