
Samsung punta a NAND a 1.000 strati entro il 2030, inizia la saldatura dei wafer a 400 strati
Samsung punta a creare NAND a 1.000 strati entro il 2030, grazie al suo nuovo design “multi-BV” NAND. Secondo quanto riportato da The Bell, questo piano prevede l’impilamento di quattro wafer per superare i limiti strutturali. La tecnologia di bonding dei wafer gioca un ruolo cruciale in questo progresso e Samsung intende usarla per rompere […]