Sabrent ROCKET Q NVMe SSD M.2 PCIe 1TB [SB-RKTQ-1TB]

Uno sguardo da vicino

La nuova unità Sabrent ROCKET Q NVMe da 1TB di capacità appare davvero molto compatta e si basa su un fattore di forma di tipo M.2 Type-2280, che prevede, di conseguenza, una larghezza pari a 22mm ed una lunghezza massima di appena 80mm. Il PCB, di colore blu, è di tipo multistrato a doppia faccia, con uno spessore tale da restituire un’ottima rigidità.

Possiamo osservare che, in questo specifico modello, tutti i vari componenti sono montati esclusivamente su una faccia del circuito stampato, opportunamente disposti in modo da ottenere un layout generale molto pulito ed ordinato. Il lato opposto, infatti, verrà popolato solamente nei modelli più capienti previsti dal produttore americano (2TB, 4TB ed 8TB). Le saldature non presentano sbavature e sono di ottima fattura, a conferma degli elevati standard qualitativi adottati in fase di produzione.

Nella parte anteriore dell’unità possiamo notare un sottile heat-spreader in rame di colore bianco e azzurro che oltre a conferire una certa eleganza al prodotto, consente di distinguere a colpo d’occhio la famiglia di appartenenza ed il modello.

Un’altra etichetta adesiva, questa volta di colore bianco, è al contrario applicata nella parte opposta dell’unità, questa volta riportante tutti i vari codici identificativi, seriali e le principali certificazioni ottenute.

La nuova linea ROCKET Q NVMe si basa sul controller di ultima generazione PS5012-E12S di Phison. Questo controller, di tipo multicanale a 8 vie, offre pieno supporto sia alle NAND Flash TLC/QLC basate su standard ONFI (Open NAND Flash Interface) 2.3, 3.0/3.2 e 4.0. Per ciò che riguarda l’interfaccia viene assicurata la piena conformità verso lo standard PCIe Gen3 con banda massima teorica pari a ben 32Gb/s (sfruttando quattro linee di terza generazione), nonché verso la più recente specifica 1.3c del protocollo NVMe (Non-Volatile Memory Express).

Troviamo un circuito integrato di tipo Low-Density Parity-Check (LDPC) dedicato alla correzione degli errori (ECC), oltre che a funzionalità avanzate come l’End-to-end Data Path Protection (ETEDPP) e l’Advanced Wear Leveling espressamente pensato per preservare le prestazioni anche in seguito ad usi particolarmente intensivi dell’unità.

Non mancano ulteriori ed interessanti funzionalità, come le tecnologie SmartECC dedicata alla ricostruzione di eventuali settori difettosi nell’eventualità che il normale circuito ECC non funzioni adeguatamente; la SmartRefresh dedicata  al monitoraggio dello stato di salute dell’ECC e l’aggiornamento periodico dei blocchi al fine di migliorare la conservazione dei dati; e SmartFlush che riduce al minimo la permanenza dei dati all’interno della memoria cache così da garantirne la conservazione in caso di interruzione accidentale dell’alimentazione.

Inoltre, a garanzia della massima sicurezza dei dati, è pienamente supportata la codifica hardware con chiave di criptazione AES a 128/256-bit tramite protocolli Trusted Computing Group (TCG) Pyrite e Opal 2.0.

Il recupero delle prestazioni è garantito dalla tecnologia TRIM (nei sistemi operativi compatibili che ne fanno uso) e da un Garbage Collection avanzato, attivato automaticamente durante gli stati idle dell’unità. Non mancano, infine, funzionalità avanzate per il massimo risparmio energetico in tutte quelle situazioni di scarso o non utilizzo del drive, come le tecnologie Device Sleep (DEVSLP) e PHY Sleep, perfette per consentire una maggiore durata della batteria dei notebook pur mantenendo un’elevata reattività, grazie ai brevissimi tempi di ripresa.

A sostegno del controller, allo scopo di ottimizzare le prestazioni riducendo i tempi morti durante l’elaborazione delle varie richieste e l’esecuzione delle operazioni di Caching, Wear Leveling e di Garbage Collection (GC), è presente un modulo di memoria cache DDR3L da 512MB, marchiato Kingston Technology, riportante la serigrafia “D1216ECMDXGJD”, operante a 1.866MHz e contraddistinto da un package di tipo FBGA 96-ball ed una tensione di alimentazione massima pari ad 1.35v.

Il pettine di collegamento M.2/NGFF, trattandosi di un’unità conforme al protocollo NVMe (Non-Volatile Memory Express), è di tipo M-Key (possiamo infatti notare la singola tacca). Consigliamo quindi di fare sempre riferimento al manuale utente o alle specifiche tecniche riportate sulla pagina web della propria scheda madre in maniera da evitare l’insorgere di eventuali problemi di compatibilità.

Per quanto riguarda, invece, le NAND Flash, come già anticipato, troviamo le nuove ed innovative 3D QLC (Quad Level Cell) prodotte da Micron. Queste particolari memorie, prodotte con processo litografico a 15nm, sono realizzate utilizzando un’innovativa architettura a 96 strati di celle impilati verticalmente, anziché cercare di ridurre la lunghezza e la larghezza delle celle per rientrare nei moderni fattori di forma compatti.

Il risultato è una densità maggiore, una resa migliorata in termini di prestazioni ed un consumo energetico ben più contenuto rispetto alle NAND tradizionali di tipo planare. Precisamente, nel modello in esame, troviamo quattro moduli identici collocati su un solo lato del PCB, serigrafati IA5BG66AWA e contraddistinti da una densità di 2.048Gbit (256GB) ciascuno.

Il produttore americano prevede che una porzione della capacità complessiva disponibile sia riservata nativamente all’over-provisioning. In questo modello viene dedicato un totale di 16GB, la cui gestione è come di consueto affidata al controller, in modo tale da poter assicurare la massima efficienza nel recupero prestazionale.