ZADAK TWSG3 PCIe Gen3x4 M.2 NVMe SSD 512GB [ZS512GTWSG3-1]

Uno sguardo da vicino

La nuova unità ZADAK TWSG3 PCIe Gen3x4 M.2 NVMe SSD da 512GB di capacità appare davvero molto compatta e si basa su un fattore di forma di tipo M.2 Type-2280, che prevede, di conseguenza, una larghezza pari a 22mm ed una lunghezza massima di appena 80mm. Il PCB, di colore nero, è di tipo multistrato a doppia faccia, con uno spessore tale da restituire un’ottima rigidità.

Possiamo osservare che, in questo specifico modello, tutti i vari componenti sono montati esclusivamente su una faccia del circuito stampato, opportunamente disposti in modo da ottenere un layout generale molto pulito ed ordinato. Le saldature non presentano sbavature e sono di ottima fattura, a conferma degli elevati standard qualitativi adottati in fase di produzione.

Nella parte anteriore dell’unità possiamo notare un particolare heat-spreader di colore nero realizzato in rame (con superficie di contatto in grafene), che oltre a conferire una certa eleganza al prodotto e consentire di distinguere a colpo d’occhio la famiglia di appartenenza, assicura una maggiore efficienza nella dissipazione del calore.

Nella parte posteriore trova posto un’etichetta adesiva riportante il modello preciso del prodotto, con relativi numeri di serie.

La nuova linea TWSG3 si basa sul controller “DRAM-Less” di ultima generazione Shasta+ (IG5216) di InnoGrit. Questo controller TFBGA a 198 contatti, di tipo multicanale a 4 vie, offre pieno supporto sia alle NAND Flash SLC/MLC/TLC/QLC basate su standard ONFI (Open NAND Flash Interface) 4.1 e Toggle 4.0.

Per ciò che riguarda l’interfaccia viene assicurata la piena conformità verso lo standard PCIe Gen3 con banda massima teorica pari a ben 32Gb/s (sfruttando quattro linee di terza generazione), nonché verso la specifica 1.4 del protocollo NVMe (Non-Volatile Memory Express).

Al pari delle più recenti soluzioni sul mercato, anche il nuovo controller di InnoGrit implementa un circuito integrato di ultima generazione dedicato alla correzione degli errori (ECC) basato sull’efficiente sistema Low-Density Parity-Check (LDPC). Non mancano, inoltre, funzionalità avanzate come l’End-to-end Data Path Protection (ETEDPP) e il Global Wear Leveling espressamente pensato per preservare le prestazioni anche in seguito ad usi particolarmente intensivi dell’unità.

Il recupero delle prestazioni è garantito dalla tecnologia TRIM (nei sistemi operativi compatibili che ne fanno uso) e da un Garbage Collection avanzato, attivato automaticamente durante gli stati idle dell’unità. Non mancano, infine, funzionalità avanzate per il massimo risparmio energetico in tutte quelle situazioni di scarso o non utilizzo del drive, come le tecnologie Device Sleep (DEVSLP) e PHY Sleep, perfette per consentire una maggiore durata della batteria dei notebook pur mantenendo un’elevata reattività, grazie ai brevissimi tempi di ripresa.

Il pettine di collegamento M.2/NGFF, trattandosi di un’unità conforme al protocollo NVMe (Non-Volatile Memory Express), è di tipo M-Key (possiamo infatti notare la singola tacca). Consigliamo quindi di fare sempre riferimento al manuale utente o alle specifiche tecniche riportate sulla pagina web della propria scheda madre in maniera da evitare l’insorgere di eventuali problemi di compatibilità.

Per quanto riguarda, invece, le NAND Flash, come già anticipato, troviamo delle 3D TLC (Triple Level Cell) prodotte dall’americana Micron e basate su tecnologia proprietaria FortisFlash.

Queste particolari memorie, prodotte con processo litografico a 20nm, sono realizzate utilizzando un’architettura a 96 strati di celle impilati verticalmente, anziché cercare di ridurre la lunghezza e la larghezza delle celle per rientrare nei moderni fattori di forma compatti.

Il risultato è una densità maggiore, una resa migliorata in termini di prestazioni ed un consumo energetico ben più contenuto rispetto alle NAND tradizionali di tipo planare. Precisamente, nel modello in esame, troviamo una coppia di moduli identici collocati su un solo lato del PCB, serigrafati 29F2T08EMLCE e contraddistinti da una densità di 2.048Gbit (256GB) ciascuno.