BIOSTAR X670E Valkyrie – AMD X670E Chipset – AM5

BIOSTAR X670E Valkyrie: La scheda

Iniziamo la nostra esplorazione della X670E Valkyrie osservando e toccando con mano il PCB. Per prima cosa dobbiamo ammettere che la sensazione tattile restituita è di ottima costruzione e solidità, con un notevole grado di rigidità.

Questo aspetto eviterà torsioni del PCB stesso, soprattutto se sottoposto a lunghi periodi di utilizzo in condizioni ambientali sfavorevoli o di stress, garantendo longevità e stabilità nel tempo.

La scheda adotta un particolare PCB “Loss-Less Design” costruito in fibra di vetro, contraddistinto da uno spessore superiore, composto di ben otto strati contraddistinti da un più generoso quantitativo di rame (2oz di rame), che gli conferisce, oltre che come abbiamo anticipato un’elevata resistenza alle torsioni, anche una maggiore protezione verso le scariche elettrostatiche (ESD) e una maggiore resistenza all’umidità.

Inoltre, l’utilizzo di un PCB di questo tipo, consente di ottimizzare e isolare al meglio le tracce di potenza e di segnale, garantendo maggiore efficienza, prestazioni e temperature più contenute.

La colorazione di base del PCB nera, con finitura opaca, in abbinamento all’intrigante grafica in pieno stile “Valkyrie” dona alla scheda un aspetto davvero molto accattivante e certamente capace di attirare l’attenzione degli appassionati sin dal primo sguardo. Nessuna sorpresa per ciò che riguarda il Form-Factor, pienamente conforme allo standard ATX con dimensioni pari a 30.5 cm x 24.4 cm.

Sul lato posteriore, oltre ovviamente al backplate del meccanismo di ritenzione del processore che, come spesso accade, è di produzione LOTES, e alla staffa di fissaggio della particolare mascherina I/O Shield integrata, troviamo un generoso e robusto backplate in metallo pensato per rafforzare la scheda madre al fine di prevenirne la flessione causata dai sempre più pesanti sistemi di raffreddamento e schede grafiche discrete.

Come vediamo il layout appare pulito e ordinato, con componenti posti con criterio nello spazio a disposizione. La distribuzione dei principali elementi è infatti davvero ben organizzata e certamente frutto di uno studio approfondito da parte degli ingegneri del marchio. In posizione centrale spicca il nuovo socket di connessione di tipo LGA (Land Grid Array) denominato AM5, in grado di assicurare pieno supporto verso tutte le recenti soluzioni Ryzen 7000 Series, meglio note agli appassionati con il nome in codice Raphael e sviluppate con l’avanzato processo produttivo a 5 nanometri di TSMC.

La zona nelle immediate vicinanze appare abbastanza ordinata e libera. Tuttavia, ci sentiamo di consigliare di affidarsi al liquido (incluse le varie soluzioni di tipo All-in-One) per quanto riguarda il raffreddamento del microprocessore, così da evitare qualsiasi eventuale interferenza con il sistema di dissipazione previsto per la circuiteria di alimentazione della scheda, che, come osserveremo più avanti, è abbastanza generoso nelle dimensioni. Per via del suo sviluppo in altezza, infatti, potrebbero esserci problemi nell’utilizzo di alcuni dissipatori di calore ad aria particolarmente voluminosi, si consiglia pertanto di verificarne attentamente la piena compatibilità.

Il meccanismo di fissaggio del processore, prodotto come anticipato da LOTES, si basa sulla medesima logica di apertura/chiusura già osservata da diversi anni nelle soluzioni di pari fascia concorrenti. L’azienda americana ha lavorato ed investito risorse allo scopo di mantenere inalterata, nonostante il differente socket di connessione, la compatibilità con la maggior parte delle attuali soluzioni di raffreddamento sul mercato, provviste di certificazione AM4.

Nello specifico non vi sarà alcun problema, in fase di installazione, con tutti i sistemi di dissipazione per i quali è previsto lo sfruttamento del supporto plastico originale per l’ancoraggio, mentre per le restanti, ovvero quelle con le quali è necessario sfruttare la filettatura del backplate originale della scheda madre, potrebbe essere necessario l’utilizzo di specifici standoff forniti dal produttore.

La scheda madre adotta una robusta circuiteria di alimentazione digitale (Digital PWM) da 18+2+2 Fasi (CPU VCore + SoC VCC + VDD_Misc), espressamente progettata per garantire un’ottima stabilità e durevolezza nel tempo, anche in condizione di overclocking elevato. Gli stadi di alimentazione, infatti, prevedono componenti discreti di indubbia qualità, tra cui condensatori polimerici giapponesi caratterizzati da un ESR estremamente basso, e induttanze in grado di supportare ben 105A di corrente per ogni singola fase.

L’assoluta stabilità operativa e la longevità sono garantite dalla presenza di un sistema di dissipazione del calore in alluminio di generose dimensioni, capace di garantire il mantenimento di basse temperature d’esercizio anche in situazioni di elevato stress (W-MOS + N-MOS w/Heatpipe Design Heatsink). Il fissaggio alla piastra avviene mediante l’utilizzo di viti, certamente ben più sicure delle più tradizionali clip plastiche, mentre il contatto con le componenti avviene mediante pad termoconduttivi di buona qualità.

La configurazione delle fasi di alimentazione prevede per il circuito CPU Vcore un design parallelo da ben 18 Fasi, gestite, assieme alla coppia di fasi dedicate al circuito SoC VCC, da un controller  di ultima generazione prodotto da Renesas Electronics, precisamente il modello RAA228228 Digital Double Output 20-Phase PWM Controller w/AVSBus, in grado di gestire un output massimo, liberamente configurabile, di 20 Fasi (X+Y ≤ 20). Sarà quindi ad esempio possibile sfruttare questo controller per una gestione delle fasi nelle più disparate configurazioni, da una 18+2 come quella scelta in questo caso dal produttore taiwanese, sino ad arrivare ad esempio a configurazioni 20+0, 18+2, 17+3, 10+10 e via dicendo.

Il produttore ha scelto di affidarsi, anche per quanto riguarda i MOSFET, alla suddetta azienda giapponese, adottando, per quanto riguarda il circuito CPU Vcore, degli ottimi RAA22010540 105A Smart Power Stage (SPS), all’interno dei quali è presente sia il MOSFET Low-Side e sia l’High-Side. Questi MOSFET, inoltre, assicurano un più elevato livello affidabilità, precisione ed efficienza rispetto alle precedenti implementazioni Dr.MOS. Come anticipato, ognuno di questi stadi potenza è accreditato per assicurare un massimo di 105A di corrente continua.

Ne consegue la possibilità di gestire un output pari a ben 1.890A sul solo circuito dedicato al CPU Vcore, più che sufficiente, quindi, anche nel caso di overclocking particolarmente spinti. Nulla da eccepire nemmeno sulla scelta dei MOSFET dedicati alle due fasi del circuito SoC VCC, per le quali sono stati impiegati degli ottimi ISL99360 Smart Power Stages (SPS) da ben 60A ciascuno.

Come vedremo dalle immagini, anche per il circuito VDD_Misc a doppia fase, il produttore ha deciso di affidarsi a Renesas Electronics. Nello specifico è stato adottato il valido controller di ultima generazione RAA229613 PWM, affiancato ancora una volta dagli ottimi MOSFET ISL99360 Smart Power Stages (SPS).

L’azienda, come di consueto, ha implementato anche su questo modello diverse tecnologie proprietarie pensate per incrementare la longevità dei vari circuiti grazie ad una serie di protezioni integrate per le scariche elettrostatiche (ESD Protection), per sovratensioni causate da eventuali malfunzionamenti dell’alimentatore di sistema e per i picchi improvvisi e violenti di voltaggio, causati ad esempio dai temporali (OC-OV-OH Protection).

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